HY3810PS Todos los transistores

 

HY3810PS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HY3810PS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 346 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1013 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm

Encapsulados: TO-3PS

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HY3810PS datasheet

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HY3810PS

HY3810P/M/B/PS/PM N-Channel Enhancement Mode MOSFET Pin Description F eatures 100V/180A RDS(ON)= 5.0 m (typ.) @ VGS=10V S D G S D 100% avalanche tested G S D G Reliable and Rugged TO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S D G S D G pplications A TO-3PS-3L TO-3PM-3S Switching application

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HY3810PS

HY3810P/M/B/PS/PM N-Channel Enhancement Mode MOSFET Pin Description F eatures 100V/180A RDS(ON)= 5.0 m (typ.) @ VGS=10V S D G S D 100% avalanche tested G S D G Reliable and Rugged TO-220FB-3L TO-220FB-3S TO-263-2L Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) S D G S D G pplications A TO-3PS-3L TO-3PM-3S Switching application

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History: 2SK1300 | SI2308CDS | WSF40N06 | TPH4R008NH

 

 

 

 

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