IPB07N03L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPB07N03L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 740 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Encapsulados: TO-263
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IPB07N03L datasheet
ipp07n03l ipb07n03l.pdf
IPP07N03L IPB07N03L OptiMOS Buck converter series Product Summary Feature VDS 30 V N-Channel RDS(on) max. SMD version 5.9 m Logic Level ID 80 A Low On-Resistance RDS(on) P- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) Superior thermal resistance 175 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Ideal for f
ipb073n15n5.pdf
IPB073N15N5 MOSFET D PAK OptiMOS 5 Power-Transistor, 150 V Features Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) Very low reverse recovery charge (Q ) rr 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high-frequency switching and synch
ipb070n06ng ipp070n06ng ipi070n06ngrev1.4.pdf
IPB070N06N G IPP070N06N G IPI070N06N G Power-Transistor Product Summary Features V D P &?F 71C5 381A75 6?A 61BC BF9C389>7 1@@B R 7 m , ?> =1G ,' E5AB9?> P ( 381>>581>35=5>C >?A=1
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History: WMO08N70C4 | IXFB120N50P2 | SWU6N65K | WMN07N80M3 | WSF35P06 | WMM26N65C4
History: WMO08N70C4 | IXFB120N50P2 | SWU6N65K | WMN07N80M3 | WSF35P06 | WMM26N65C4
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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