SVF4N65T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF4N65T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 37.33 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm
Encapsulados: TO-220
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SVF4N65T datasheet
svf4n65t svf4n65f svf4n65m svf4n65mj svf4n65d svf4n65k.pdf
SVF4N65T/F/M/MJ/D/K 4A 650V N 2 SVF4N65T/F/M/MJ/D/K N MOS 1 2 3 F-CellTM VDMOS TO-251J-3L 1 3
Otros transistores... HY3906P , HY3906B , HYG067N07NQ1P , HYG067N07NQ1B , HYG067N07NQ1PS , IPP07N03L , IPB07N03L , IPW60R060P7 , IRF530 , SVF4N65F , SVF4N65FG , SVF4N65M , VP0300M , CEPF630 , CEBF630 , CS64N12 , CSN64N12 .
History: VS4N65CD | 2N4003K
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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