STK0760P Todos los transistores

 

STK0760P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STK0760P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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STK0760P datasheet

 ..1. Size:501K  auk
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STK0760P

STK0760P Semiconductor Semiconductor Advanced Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features High Voltage BVDSS=600V(Min.) Low Crss Crss=12pF(Typ.) Low gate charge Qg=28nC(Typ.) Low RDS(on) RDS(on)=1.2 (Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK0760P STK0760 TO-220AB-3L Outline Dimensions unit mm 9.80 10.20 4.35

 8.1. Size:424K  auk
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STK0760P

STK0765BF Semiconductor Semiconductor Advanced Power MOSFET SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High Voltage BVDSS=650V(Min.) D Low Crss Crss=13pF(Typ.) Low gate charge Qg=32nC(Typ.) Low RDS(on) RDS(on)=1.2 (Typ.) G Ordering Information G D S Type No. Marking Package Code S TO-220F-3L STK0765BF STK0765 TO-220F-3

Otros transistores... CS64N12 , CSN64N12 , D7509 , FD7509 , ID7509 , ED7509 , DFF2N60 , NCE60H10F , RFP50N06 , TPC8228H , SUP60N06-18 , SUB60N06-18 , BLV108 , BLV1N60 , BLV1N60A , BLV2N60 , BLV4N60 .

 

 

 

 

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