STK0760P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STK0760P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для STK0760P
STK0760P Datasheet (PDF)
stk0760p.pdf

STK0760PSemiconductor Semiconductor Advanced Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features High Voltage: BVDSS=600V(Min.) Low Crss : Crss=12pF(Typ.) Low gate charge : Qg=28nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=1.2(Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK0760P STK0760 TO-220AB-3LOutline Dimensions unit : mm 9.80~10.20 4.35
stk0765bf.pdf

STK0765BFSemiconductor Semiconductor Advanced Power MOSFETSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High Voltage: BVDSS=650V(Min.) D Low Crss : Crss=13pF(Typ.) Low gate charge : Qg=32nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=1.2(Typ.) G Ordering Information G D S Type No. Marking Package Code S TO-220F-3L STK0765BF STK0765 TO-220F-3
Другие MOSFET... CS64N12 , CSN64N12 , D7509 , FD7509 , ID7509 , ED7509 , DFF2N60 , NCE60H10F , IRF2807 , TPC8228H , SUP60N06-18 , SUB60N06-18 , BLV108 , BLV1N60 , BLV1N60A , BLV2N60 , BLV4N60 .
History: CS64N12 | NTJS4151P | LSB60R170GT | SUB60N06-18 | DMP4N65
History: CS64N12 | NTJS4151P | LSB60R170GT | SUB60N06-18 | DMP4N65



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP50N20MP | AP50N10P | AP50N10D | AP50N06NF | AP50N06D | AP50N05D | AP50N04D | AP50N03DF | AP50N03D | AP50N03AD | AP50H06NF | AP50G03GD | AP4P05MI | AP4N15MI | AP4N10MI | AP2320MI
Popular searches
c458 transistor | 2sc1775 | 2n1305 | 2sc5242 | irf540 equivalent | mp1620 transistor equivalent | 2sc945 transistor | c2073 transistor