SUB60N06-18 Todos los transistores

 

SUB60N06-18 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SUB60N06-18

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: TO-263

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SUB60N06-18 datasheet

 ..1. Size:100K  vishay
 sup60n06-18 sub60n06-18.pdf pdf_icon

SUB60N06-18

SUP/SUB60N06-18 Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A) 60 0.018 60 TO-220AB D TO-263 DRAIN connected to TAB G G D S G D S Top View Top View S SUB60N06-18 SUP60N06-18 N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V V Gate-Sourc

Otros transistores... FD7509 , ID7509 , ED7509 , DFF2N60 , NCE60H10F , STK0760P , TPC8228H , SUP60N06-18 , 18N50 , BLV108 , BLV1N60 , BLV1N60A , BLV2N60 , BLV4N60 , BLV640 , BLV6N60 , BLV730 .

History: HYG067N07NQ1B | RMN3N5R0DN | WMM90R360S

 

 

 

 

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