SUB60N06-18 Todos los transistores

 

SUB60N06-18 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SUB60N06-18
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SUB60N06-18 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:100K  vishay
 sup60n06-18 sub60n06-18.pdf pdf_icon

SUB60N06-18

SUP/SUB60N06-18Vishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)60 0.018 60TO-220ABDTO-263DRAIN connected to TAB GG D SG D STop ViewTop ViewSSUB60N06-18SUP60N06-18N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage VDS 60VVGate-Sourc

Otros transistores... FD7509 , ID7509 , ED7509 , DFF2N60 , NCE60H10F , STK0760P , TPC8228H , SUP60N06-18 , 75N75 , BLV108 , BLV1N60 , BLV1N60A , BLV2N60 , BLV4N60 , BLV640 , BLV6N60 , BLV730 .

 

 
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