SUB60N06-18 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SUB60N06-18
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de SUB60N06-18 MOSFET
SUB60N06-18 Datasheet (PDF)
sup60n06-18 sub60n06-18.pdf

SUP/SUB60N06-18Vishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFETPRODUCT SUMMARYV(BR)DSS (V) rDS(on) (W) ID (A)60 0.018 60TO-220ABDTO-263DRAIN connected to TAB GG D SG D STop ViewTop ViewSSUB60N06-18SUP60N06-18N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage VDS 60VVGate-Sourc
Otros transistores... FD7509 , ID7509 , ED7509 , DFF2N60 , NCE60H10F , STK0760P , TPC8228H , SUP60N06-18 , 75N75 , BLV108 , BLV1N60 , BLV1N60A , BLV2N60 , BLV4N60 , BLV640 , BLV6N60 , BLV730 .
History: STB14NK60Z-1 | WML20N50D1 | IPI26CN10NG | IPD90N04S4-03 | D1096 | IPD90N10S4L-06 | 9N90C
History: STB14NK60Z-1 | WML20N50D1 | IPI26CN10NG | IPD90N04S4-03 | D1096 | IPD90N10S4L-06 | 9N90C



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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