BLV1N60A Todos los transistores

 

BLV1N60A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLV1N60A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 15 Ohm

Encapsulados: TO-92

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BLV1N60A datasheet

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BLV1N60A

BLV1N60A N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 600V DSS Avalanche Energy Specified BV Fast Switching RDS(ON) 15 Simple Drive Requirements ID 0.5A Description This advanced high voltage MOSFET is produced using Belling s proprietary DMOS technology. Designed for high efficiency switch mode power supply. Absolute Maximum Ratings ( TC=25oC unle

 7.1. Size:480K  belling
 blv1n60.pdf pdf_icon

BLV1N60A

BLV1N60 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 600V DSS Avalanche Energy Specified BV Fast Switching RDS(ON) 8 Simple Drive Requirements ID 1A Description This advanced high voltage MOSFET is produced using Belling s proprietary DMOS technology. Designed for high efficiency switch mode power supply. Absolute Maximum Ratings ( TC=25oC unless o

Otros transistores... DFF2N60 , NCE60H10F , STK0760P , TPC8228H , SUP60N06-18 , SUB60N06-18 , BLV108 , BLV1N60 , IRF2807 , BLV2N60 , BLV4N60 , BLV640 , BLV6N60 , BLV730 , BLV740 , BLV7N60 , BLV830 .

History: NTLGD3502N | WSF50N10 | IXFA10N60P | WMM020N10HGS

 

 

 

 

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