BSB012NE2LXI Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSB012NE2LXI  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 37 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1900 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0012 Ohm

Encapsulados: MG-WDSON-2

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BSB012NE2LXI datasheet

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BSB012NE2LXI

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 3.1. Size:1445K  infineon
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BSB012NE2LXI

n-Channel Power MOSFET OptiMOS BSB012NE2LX Data Sheet 2.3, 2011-09-16 Final Industrial & Multimarket OptiMOS Power-MOSFET BSB012NE2LX 1 Description OptiMOS 25V products are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make OptiMOS

 7.1. Size:555K  infineon
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BSB012NE2LXI

& " + $ !#& ' $>E Features 0 V DS U * CG

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BSB012NE2LXI

BSB012N03LX3 G OptiMOSTM3 Power-MOSFET Product Summary Features V 30 V DS Optimized for high switching frequency DC/DC converter R 1.2 m DS(on),max Very low on-resistance R DS(on) I 180 A D Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) MG-WDSON-2 Low parasitic inductance Low profile (

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