BSB012NE2LXI Todos los transistores

 

BSB012NE2LXI MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSB012NE2LXI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 37 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1900 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0012 Ohm
   Paquete / Cubierta: MG-WDSON-2
 

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BSB012NE2LXI PDF Specs

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BSB012NE2LXI

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOSTM Power-MOSFET, 25 V BSB012NE2LXI Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket OptiMOSTM Power-MOSFET, 25 V BSB012NE2LXI CanPAK MX-size 1 Description Features Optimized SyncFET for high performance Buck converter Integrated monolithic Schottky like diode Low profile (... See More ⇒

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BSB012NE2LXI

n-Channel Power MOSFET OptiMOS BSB012NE2LX Data Sheet 2.3, 2011-09-16 Final Industrial & Multimarket OptiMOS Power-MOSFET BSB012NE2LX 1 Description OptiMOS 25V products are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make OptiMOS... See More ⇒

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BSB012NE2LXI

& " + $ !#& ' $>E Features 0 V DS U * CG... See More ⇒

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BSB012NE2LXI

BSB012N03LX3 G OptiMOSTM3 Power-MOSFET Product Summary Features V 30 V DS Optimized for high switching frequency DC/DC converter R 1.2 m DS(on),max Very low on-resistance R DS(on) I 180 A D Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) MG-WDSON-2 Low parasitic inductance Low profile (... See More ⇒

Otros transistores... BS250FTA , BS250FTC , BS250KL-TR1-E3 , BS250PSTOA , BS250PSTOB , BS250PSTZ , BSB008NE2LX , BSB012N03LX3 , 10N60 , BSB013NE2LXI , BSB017N03LX3 , BSB044N08NN3G , BSB056N10NN3G , BSB104N08NP3G , BSB165N15NZ3G , BSB280N15NZ3G , BSC009NE2LS .

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

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