BSB012NE2LXI MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSB012NE2LXI
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 37 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1900 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0012 Ohm
Paquete / Cubierta: MG-WDSON-2
Búsqueda de reemplazo de BSB012NE2LXI MOSFET
BSB012NE2LXI PDF Specs
bsb012ne2lxi.pdf
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History: FQPF19N20C | BSB104N08NP3G
History: FQPF19N20C | BSB104N08NP3G
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP50N04Q | AP50N04K | AP50N04GD | AP5040QD | AP4946S | AP4847 | AP4846 | AP4813K | AP4812S | AP4812 | AP40P05 | AP40P04Q | AP40P04K | AP40P04G | AP40N100LK | AP40N100K
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irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569

