BSB012NE2LXI Todos los transistores

 

BSB012NE2LXI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSB012NE2LXI
   Código: 05E2'
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 37 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 62 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1900 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0012 Ohm
   Paquete / Cubierta: MG-WDSON-2

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BSB012NE2LXI Datasheet (PDF)

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 3.1. Size:1445K  infineon
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n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSB012NE2LX Data Sheet2.3, 2011-09-16Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSB012NE2LX1 DescriptionOptiMOS25V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make OptiMOS

 7.1. Size:555K  infineon
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& " + $ !#& '$>EFeatures 0 VDSU * CG

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