Справочник MOSFET. BSB012NE2LXI

 

BSB012NE2LXI MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSB012NE2LXI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1900 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0012 Ohm
   Тип корпуса: MG-WDSON-2

 Аналог (замена) для BSB012NE2LXI

 

 

BSB012NE2LXI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1460K  infineon
 bsb012ne2lxi.pdf

BSB012NE2LXI BSB012NE2LXI

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM Power-MOSFET, 25 VBSB012NE2LXIData SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM Power-MOSFET, 25 VBSB012NE2LXICanPAK MX-size1 DescriptionFeatures Optimized SyncFET for high performance Buck converter Integrated monolithic Schottky like diode Low profile (

 3.1. Size:1445K  infineon
 bsb012ne2lx.pdf

BSB012NE2LXI BSB012NE2LXI

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSB012NE2LX Data Sheet2.3, 2011-09-16Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSB012NE2LX1 DescriptionOptiMOS25V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make OptiMOS

 7.1. Size:555K  infineon
 bsb012n03lx3g.pdf

BSB012NE2LXI BSB012NE2LXI

& " + $ !#& '$>EFeatures 0 VDSU * CG

 7.2. Size:300K  infineon
 bsb012n03lx3.pdf

BSB012NE2LXI BSB012NE2LXI

BSB012N03LX3 G OptiMOSTM3 Power-MOSFETProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Optimized for high switching frequency DC/DC converterR 1.2mDS(on),max Very low on-resistance RDS(on)I 180 AD Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)MG-WDSON-2 Low parasitic inductance Low profile (

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top