BSB280N15NZ3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSB280N15NZ3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: MG-WDSON-2

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSB280N15NZ3G

BSB280N15NZ3G Datasheet (PDF)

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bsb280n15nz3g.pdf

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSB280N15NZ3 G Data Sheet2.5, 2011-09-16Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSB280N15NZ3 G1 DescriptionOptiMOS150V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make

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