BSB280N15NZ3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSB280N15NZ3G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
Paquete / Cubierta: MG-WDSON-2
Búsqueda de reemplazo de BSB280N15NZ3G MOSFET
BSB280N15NZ3G Datasheet (PDF)
bsb280n15nz3g.pdf

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSB280N15NZ3 G Data Sheet2.5, 2011-09-16Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSB280N15NZ3 G1 DescriptionOptiMOS150V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make
Otros transistores... BSB012N03LX3 , BSB012NE2LXI , BSB013NE2LXI , BSB017N03LX3 , BSB044N08NN3G , BSB056N10NN3G , BSB104N08NP3G , BSB165N15NZ3G , AON7408 , BSC009NE2LS , BSC009NE2LS5 , BSC009NE2LS5I , BSC010N04LS , BSC010N04LSI , BSC010NE2LSI , BSC011N03LSI , BSC014N03LS .
History: SVT043R0NT | STD90N02L | TPD65R750C | FQB47P06TMAM002 | NCEP60T20D | AON6510 | P1203BEA
History: SVT043R0NT | STD90N02L | TPD65R750C | FQB47P06TMAM002 | NCEP60T20D | AON6510 | P1203BEA



Liste
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MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
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