BSB280N15NZ3G Todos los transistores

 

BSB280N15NZ3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSB280N15NZ3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: MG-WDSON-2
 

 Búsqueda de reemplazo de BSB280N15NZ3G MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BSB280N15NZ3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1692K  infineon
bsb280n15nz3g.pdf pdf_icon

BSB280N15NZ3G

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSB280N15NZ3 G Data Sheet2.5, 2011-09-16Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSB280N15NZ3 G1 DescriptionOptiMOS150V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make

Otros transistores... BSB012N03LX3 , BSB012NE2LXI , BSB013NE2LXI , BSB017N03LX3 , BSB044N08NN3G , BSB056N10NN3G , BSB104N08NP3G , BSB165N15NZ3G , AON7408 , BSC009NE2LS , BSC009NE2LS5 , BSC009NE2LS5I , BSC010N04LS , BSC010N04LSI , BSC010NE2LSI , BSC011N03LSI , BSC014N03LS .

History: SVT043R0NT | STD90N02L | TPD65R750C | FQB47P06TMAM002 | NCEP60T20D | AON6510 | P1203BEA

 

 
Back to Top

 


 
.