BSB280N15NZ3G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSB280N15NZ3G  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: MG-WDSON-2

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de BSB280N15NZ3G MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BSB280N15NZ3G datasheet

 ..1. Size:1692K  infineon
 bsb280n15nz3g.pdf pdf_icon

BSB280N15NZ3G

n-Channel Power MOSFET OptiMOS BSB280N15NZ3 G Data Sheet 2.5, 2011-09-16 Final Industrial & Multimarket OptiMOS Power-MOSFET BSB280N15NZ3 G 1 Description OptiMOS 150V products are class leading power MOSFETs for highest power density and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges together with lowest on state resistance in small footprint packages make

Otros transistores... BSB012N03LX3, BSB012NE2LXI, BSB013NE2LXI, BSB017N03LX3, BSB044N08NN3G, BSB056N10NN3G, BSB104N08NP3G, BSB165N15NZ3G, IRFP250N, BSC009NE2LS, BSC009NE2LS5, BSC009NE2LS5I, BSC010N04LS, BSC010N04LSI, BSC010NE2LSI, BSC011N03LSI, BSC014N03LS