BSC042N03S Todos los transistores

 

BSC042N03S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSC042N03S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 980 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
   Paquete / Cubierta: PG-TDSON-8
 

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BSC042N03S Datasheet (PDF)

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BSC042N03S

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BSC042N03S

BSC042N03S GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 4.2mDS(on),max Optimized technology for notebook DC/DC convertersI 95 AD Qualified according to JEDEC1 for target applicationsPG-TDSON-8 Logic level / N-channel Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(

 5.1. Size:664K  infineon
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BSC042N03S

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 5.2. Size:483K  infineon
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BSC042N03S

BSC042N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFET Product Summary VDS 30 V FeaturesRDS(on),max 4.2 mW Fast switching MOSFET for SMPSID 93 A Optimized technology for DC/DC convertersPG-TDSON-8 Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Superi

Otros transistores... BSC035N10NS5 , BSC036NE7NS3G , BSC037N08NS5 , BSC039N06NS , BSC040N08NS5 , BSC040N10NS5 , BSC042N03LS , BSC042N03MS , IRFB31N20D , BSC046N02KS , BSC046N10NS3G , BSC050N03LS , BSC050N03MS , BSC052N08NS5 , BSC057N03LS , BSC057N03MS , BSC059N03S .

History: NVMFS6B14NL | SUU10P10-195

 

 
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