BSC061N08NS5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSC061N08NS5
   Código: 061N08NS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 27 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0061 Ohm
   Paquete / Cubierta: PG-TDSON-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSC061N08NS5

BSC061N08NS5 Datasheet (PDF)

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MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 VBSC061N08NS5Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 VBSC061N08NS5SuperSO81 Description5867Features7685 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior thermal re

9.1. Size:592K infineon
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9.2. Size:456K infineon
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TypeBSC067N06LS3 GProduct Summary OptiMOSTM3 Power-TransistorFeaturesVDS 60 V Ideal for high frequency switching and sync. rec.RDS(on),max 6.7 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 50 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Superior thermal resistance N-channel, logic level 100% avalanche tes

9.3. Size:539K infineon
bsc060p03ns3eg.pdf

& $ "& '! $ $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=D VFeatures DS 6.0m Q C:?8=6 ) 92??6= :? ,EA6B,( DS(on) max1)Q * E2=:7:65 244@B5:?8 $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?C 100 ADQ T @A6B2D:?8 D6>A6B2DEB6PGTDSON8Q F2=2?496 B2D65Q . CA64:2==I CE:D65 7@B ?@D63@@A=:2?DQ 2AA=:42D:@?C 32DD6BI >2?286>6?D =@25 CG:D49:?8Q "2=

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TypeBSC066N06NSOptiMOSTM Power-TransistorFeaturesProduct Summary Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.VDS V 60 100% avalanche tested6.6 RDS(on),max mW Superior thermal resistanceID 64 A N-channelQOSS nC 19 Qualified according to JEDEC1) for target applicationsQG(0V..10V) nC 17 Pb-free lead plating; RoHS compliant

9.6. Size:1307K infineon
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BSC065N06LS5MOSFETSuperSO8OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V5867Features 7685 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel, logic level4 Qualified according to JEDEC1) for target applications132 2 Pb-free lead plating; RoHS compliant3 14 Halogen-free according t

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: