BSC070N10NS5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSC070N10NS5
   Código: 070N10NS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: PG-TDSON-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSC070N10NS5

BSC070N10NS5 Datasheet (PDF)

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MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM5 Power-Transistor, 100 VBSC070N10NS5Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM5 Power-Transistor, 100 VBSC070N10NS5SuperSO81 Description5867Features7685 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior thermal

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BSC070N10NS5SCMOSFETPG-WSON-8-2OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 VFeatures Double sided cooled package-with lowest Junction-top thermal resistancetab 175C rated Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.56 100% avalanche tested78 Superior thermal resistance43 N-channel21 Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-fr

3.1. Size:655K infineon
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3.2. Size:434K infineon
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BSC070N10NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 100 V Very low gate charge for high frequency applicationsRDS(on),max 7mW Optimized for dc-dc conversionID 90 A N-channel, normal levelPG-TDSON-8 Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) 150 C operating temperature Pb-free lead plating;

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Liste

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