BSC072N08NS5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSC072N08NS5
   Código: 072N08NS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 24 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm
   Paquete / Cubierta: PG-TDSON-8

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BSC072N08NS5 Datasheet (PDF)

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6.1. Size:1132K infineon
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6.2. Size:591K infineon
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BSC072N03LD GOptiMOS3 Power-TransistorsProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Dual N-channel, logic levelR 7.2mDS(on),maxI 20 A Fast switching MOSFETs for SMPS DPG-TDSON-8 Optimized technology for DC/DC converters Qualified according to JEDEC1) for target applications Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on

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