BSC079N03SG Todos los transistores

 

BSC079N03SG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSC079N03SG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0079 Ohm

Encapsulados: PG-TDSON-8

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BSC079N03SG datasheet

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BSC079N03SG

BSC079N03S G Product Summary OptiMOS 2 Power-Transistor Features V 30 V DS R 7.9 Fast switching MOSFET for SMPS m DS(on),max I 40 A Optimized technology for notebook DC/DC converters D Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on)

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BSC079N03SG

BSC079N03S G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 7.9 m DS(on),max Optimized technology for notebook DC/DC converters I 40 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel Logic level P-TDSON-8 P-TDSON-8 Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resi

 5.1. Size:384K  infineon
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BSC079N03SG

BSC079N03LSC G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 7.9 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 50 A D Improved switching behaviour PG-TDSON-8 Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very l

 7.1. Size:661K  infineon
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BSC079N03SG

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History: ELM34417AA | ELM34421AA

 

 

 

 

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