BSD235N Todos los transistores

 

BSD235N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSD235N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.95 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm

Encapsulados: SOT-363

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BSD235N datasheet

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BSD235N

BSD235N OptiMOS 2 Small-Signal-Transistor Product Summary Features VDS 20 V Dual N-channel RDS(on),max VGS=4.5 V 350 mW Enhancement mode VGS=2.5 V 600 Super Logic level (2.5V rated) ID 0.95 A Avalanche rated Qualified according to AEC Q101 PG-SOT-363 100% lead-free; RoHS compliant 6 5 4 Halogen-free according to IEC61249-2-21 1 2 3

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BSD235N

BSD235C OptiMOS 2 + OptiMOS -P 2 Small Signal Transistor Product Summary Features P N Complementary P + N channel VDS -20 20 V Enhancement mode RDS(on),max VGS= 4.5 V 1200 350 mW Super Logic level (2.5V rated) VGS= 2.5 V 2100 600 Avalanche rated ID -0.53 0.95 A Qualified according to AEC Q101 100% lead-free; RoHS compliant PG-SOT-363 Halogen

Otros transistores... BSC117N08NS5 , BSC120N03LS , BSC120N03MS , BSC150N03LD , BSC252N10NSF , BSC500N20NS3G , BSD214SN , BSD235C , IRFP460 , BSD316SN , BSD816SN , BSD840N , BSF030NE2LQ , BSF035NE2LQ , BSF077N06NT3G , BSF134N10NJ3G , BSF450NE7NH3 .

 

 

 

 

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