BSD235N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSD235N
   Código: X6s
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.95 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.32 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSD235N

BSD235N Datasheet (PDF)

..1. Size:365K infineon
bsd235n.pdf

BSD235NOptiMOS2 Small-Signal-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 20 V Dual N-channelRDS(on),max VGS=4.5 V 350 mW Enhancement modeVGS=2.5 V 600 Super Logic level (2.5V rated)ID 0.95 A Avalanche rated Qualified according to AEC Q101PG-SOT-363 100% lead-free; RoHS compliant6 5 4 Halogen-free according to IEC61249-2-211 2 3

8.1. Size:521K infineon
bsd235c.pdf

BSD235COptiMOS 2 + OptiMOS-P 2 Small Signal TransistorProduct Summary FeaturesP N Complementary P + N channel VDS -20 20 V Enhancement modeRDS(on),max VGS=4.5 V 1200 350 mW Super Logic level (2.5V rated)VGS=2.5 V 2100 600 Avalanche ratedID -0.53 0.95 A Qualified according to AEC Q101 100% lead-free; RoHS compliantPG-SOT-363 Halogen

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: