BSD316SN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSD316SN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 2.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSD316SN

BSD316SN Datasheet (PDF)

..1. Size:183K infineon
bsd316sn.pdf

BSD316SNOptiMOS2 Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS N-channelR V =10 V 160mDS(on),max GS Enhancement modeV =4.5 V 280GS Logic level (4.5V rated)I 1.4 AD Avalanche rated Qualified according to AEC Q101PG-SOT363 100% lead-free; RoHS compliant6 5 4 Halogen-free according to IEC61249-2-21123Type Package

9.1. Size:154K infineon
bsd314spe.pdf

BSD314SPEOptiMOS-P 3 Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS P-channelR V =-10 V 140mDS(on),max GS Enhancement modeV =-4.5 V 230GS Logic level (4.5V rated)I -1.5 AD ESD protectedPG-SOT-363 Qualified according AEC Q101654 100% Lead-free; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21123Type Pac

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: