BSD316SN Todos los transistores

 

BSD316SN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSD316SN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm

Encapsulados: SOT-363

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BSD316SN datasheet

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BSD316SN

BSD316SN OptiMOS 2 Small-Signal-Transistor Product Summary Features V 30 V DS N-channel R V =10 V 160 m DS(on),max GS Enhancement mode V =4.5 V 280 GS Logic level (4.5V rated) I 1.4 A D Avalanche rated Qualified according to AEC Q101 PG-SOT363 100% lead-free; RoHS compliant 6 5 4 Halogen-free according to IEC61249-2-21 1 2 3 Type Package

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BSD316SN

BSD314SPE OptiMOS -P 3 Small-Signal-Transistor Product Summary Features V 30 V DS P-channel R V =-10 V 140 m DS(on),max GS Enhancement mode V =-4.5 V 230 GS Logic level (4.5V rated) I -1.5 A D ESD protected PG-SOT-363 Qualified according AEC Q101 6 5 4 100% Lead-free; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 1 2 3 Type Pac

Otros transistores... BSC120N03LS , BSC120N03MS , BSC150N03LD , BSC252N10NSF , BSC500N20NS3G , BSD214SN , BSD235C , BSD235N , IRFZ44 , BSD816SN , BSD840N , BSF030NE2LQ , BSF035NE2LQ , BSF077N06NT3G , BSF134N10NJ3G , BSF450NE7NH3 , BSG0811ND .

History: FQB30N06L | MEM564C

 

 

 

 

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