BSG0811ND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSG0811ND
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
Paquete / Cubierta: PG-TISON8-4
Búsqueda de reemplazo de BSG0811ND MOSFET
BSG0811ND Datasheet (PDF)
bsg0811nd.pdf

BSG0811NDProduct Summary Power BlockQ1 Q2 FeaturesVDS 25 25 V Dual asymmetric N-channel OptiMOS5 MOSFETRDS(on),max VGS=10 V 3 0.8 mW Logic level (4.5V rated)VGS=4.5 V 4 1.1 Optimized for high performance buck convertersID 50 50 A Qualified according to JEDEC1) for target applicationsS1/D2 (VPhase) (5) (4)D1 (Vin) Pb-free lead plating; RoHS c
bsg0810ndi.pdf

BSG0810NDIProduct Summary Power BlockQ1 Q2 FeaturesVDS 25 25 V Dual asymmetric N-channel OptiMOS5 MOSFETRDS(on),max VGS=10 V 3 0.85 mW Logic level (4.5V rated)VGS=4.5 V 4 1.2 Pb-free lead plating; RoHS compliantID 50 50 A Optimized for high performance Buck converter S1/D2 (VPhase) (5) (4)D1 (Vin) Qualified according to JEDEC1) for target ap
bsg0813ndi.pdf

BSG0813NDIProduct Summary Power BlockQ1 Q2 FeaturesVDS 25 25 V Dual asymmetric N-channel OptiMOS5 MOSFETRDS(on),max VGS=10 V 3 1.2 mW Logic level (4.5V rated)VGS=4.5 V 4 1.7 Optimized for high performance buck convertersID 50 50 A Pb-free lead plating; RoHS compliantS1/D2 (VPhase) (5) (4)D1 (Vin) Qualified according to JEDEC1) for target app
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History: AOW29S50 | UPA1792G



Liste
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