BSG0811ND MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSG0811ND
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
Encapsulados: PG-TISON8-4
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BSG0811ND datasheet
bsg0811nd.pdf
BSG0811ND Product Summary Power Block Q1 Q2 Features VDS 25 25 V Dual asymmetric N-channel OptiMOS 5 MOSFET RDS(on),max VGS=10 V 3 0.8 mW Logic level (4.5V rated) VGS=4.5 V 4 1.1 Optimized for high performance buck converters ID 50 50 A Qualified according to JEDEC1) for target applications S1/D2 (VPhase) (5) (4) D1 (Vin) Pb-free lead plating; RoHS c
bsg0810ndi.pdf
BSG0810NDI Product Summary Power Block Q1 Q2 Features VDS 25 25 V Dual asymmetric N-channel OptiMOS 5 MOSFET RDS(on),max VGS=10 V 3 0.85 mW Logic level (4.5V rated) VGS=4.5 V 4 1.2 Pb-free lead plating; RoHS compliant ID 50 50 A Optimized for high performance Buck converter S1/D2 (VPhase) (5) (4) D1 (Vin) Qualified according to JEDEC1) for target ap
bsg0813ndi.pdf
BSG0813NDI Product Summary Power Block Q1 Q2 Features VDS 25 25 V Dual asymmetric N-channel OptiMOS 5 MOSFET RDS(on),max VGS=10 V 3 1.2 mW Logic level (4.5V rated) VGS=4.5 V 4 1.7 Optimized for high performance buck converters ID 50 50 A Pb-free lead plating; RoHS compliant S1/D2 (VPhase) (5) (4) D1 (Vin) Qualified according to JEDEC1) for target app
Otros transistores... BSD316SN , BSD816SN , BSD840N , BSF030NE2LQ , BSF035NE2LQ , BSF077N06NT3G , BSF134N10NJ3G , BSF450NE7NH3 , IRFB4227 , BSG0813NDI , BSH111BK , BSH112 , BSH205G2 , BSL202SN , BSL205N , BSL207N , BSL214N .
History: SI2333DDS
History: SI2333DDS
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