BSL202SN Todos los transistores

 

BSL202SN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSL202SN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 278 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: SOT-457

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BSL202SN datasheet

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BSL202SN

BSL202SN OptiMOS 2 Small-Signal-Transistor Product Summary Features V 20 V DS N-channel R V =4.5 V 22 m DS(on),max GS Enhancement mode V =2.5 V 36 GS Super Logic level (2.5V rated) I 7.5 A D Avalanche rated dv /dt rated TSOP-6 Pb-free lead plating; RoHS compliant 6 5 Qualified according to AEC Q101 4 1 2 3 Type Package Tape and Reel Inf

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BSL202SN

Rev. 2.05 BSL207SP OptiMOS -P Small-Signal-Transistor Product Summary Feature VDS -20 V P-Channel RDS(on) 41 m Enhancement mode ID -6 A Super Logic Level (2.5 V rated) P-TSOP6-6 150 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated 4 3 5 Pb-free lead plating; RoHS compliant 2 6 1 Qualified according to AEC Q101 P-TS

 9.2. Size:427K  infineon
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BSL202SN

BSL205N OptiMOS ' .99 '64;.9 (>.;?6?@ %>E Features 20 V DS T H5@ ) 7

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BSL202SN

BSL207N OptiMOS ' .99 '64;.9 (>.;?6?@ %>E Features 20 V DS T H5@ ) 7

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