BSL215C Todos los transistores

 

BSL215C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSL215C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm

Encapsulados: SOT-457

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BSL215C datasheet

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BSL215C

BSL215C OptiMOS 2 + OptiMOS -P 2 Small Signal Transistor Product Summary Features P N Complementary P + N channel VDS -20 20 V Enhancement mode RDS(on),max VGS= 4.5 V 150 140 mW Super Logic level (2.5V rated) VGS= 2.5 V 280 250 Avalanche rated ID -1.5 1.5 A Qualified according to AEC Q101 100% lead-free; RoHS compliant PG-TSOP6 Halogen free a

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BSL215C

BSL215P #

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BSL215C

BSL214N OptiMOS ' .99 '64;.9 (>.;?6?@ %>E Features 20 V DS T H5@ ) 7

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BSL215C

Rev 2.0 BSL211SP OptiMOS -P Small-Signal-Transistor Product Summary Feature VDS -20 V P-Channel RDS(on) 67 m Enhancement mode ID -4.7 A Super Logic Level (2.5 V rated) P-TSOP6-6 150 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated 4 3 5 2 Pb-free lead plating; RoHS compliant 6 1 Qualified according to AEC Q101

Otros transistores... BSG0813NDI , BSH111BK , BSH112 , BSH205G2 , BSL202SN , BSL205N , BSL207N , BSL214N , IRFP250N , BSL302SN , BSL303SPE , BSL305SPE , BSL306N , BSL308C , BSL316C , BSL606SN , BSL802SN .

 

 

 


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