BSL303SPE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSL303SPE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 482 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-457
Búsqueda de reemplazo de BSL303SPE MOSFET
BSL303SPE Datasheet (PDF)
bsl303spe.pdf

MosfetMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOS Power-Transistor, -30VBSL303SPEData SheetRev. 2.0FinalIndustrial & MultimarketBSL303SPEOptiMOS-P 3 Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS -30 V P-channelRDS(on),max VGS=-10 V 33m Enhancement modeVGS=-4.5 V 52 Logic level (4.5V rated)ID -6.3 A ESD protected
bsl308pe.pdf

BSL308PEOptiMOS P3 Small-Signal-TransistorProduct Summary FeaturesVDS -30 V Dual P-channelRDS(on),max VGS=-10 V 80 mW Enhancement modeVGS=-4.5 V 130 Logic level (4.5V rated)ID -2.0 A ESD protectedPG-TSOP-6 Qualified according to AEC Q1016 5 4 100% Lead-free; RoHS compliant Halogen free according to IEC61249-2-211 2 3 Ty
bsl302sn.pdf

BSL302SNOptiMOS2 Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS N-channelR V =10 V 25mDS(on),max GS Enhancement modeV =4.5 V 38GS Logic level (4.5V rated)I 7.1 AD Avalanche rated dv /dt ratedPG-TSOP-6 Pb-free lead plating; RoHS compliant65 Qualified according to AEC Q1014123Type Package Tape and Reel Informa
Otros transistores... BSH112 , BSH205G2 , BSL202SN , BSL205N , BSL207N , BSL214N , BSL215C , BSL302SN , K3569 , BSL305SPE , BSL306N , BSL308C , BSL316C , BSL606SN , BSL802SN , BSL806N , BSN20-7 .
History: 2N4446 | SSF12N65F | ME95N03T | GM2302 | AO4800 | AON7518 | IPB77N06S2-12
History: 2N4446 | SSF12N65F | ME95N03T | GM2302 | AO4800 | AON7518 | IPB77N06S2-12



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent