BSL308C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSL308C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.057 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-457
Búsqueda de reemplazo de BSL308C MOSFET
BSL308C Datasheet (PDF)
bsl308c.pdf

BSL308COptiMOS P3 + Optimos 2 Small Signal TransistorProduct Summary Features Complementary P + N channel P N Enhancement modeVDS -30 30 V Logic level (4.5V rated)RDS(on),max VGS=10 V 80 57 mW Avalanche ratedVGS=4.5 V 130 93 ID -2.0 2.3 A Qualified according to AEC Q101 100% Lead-free; RoHS compliantPG-TSOP-6 Halogen free according
bsl308pe.pdf

BSL308PEOptiMOS P3 Small-Signal-TransistorProduct Summary FeaturesVDS -30 V Dual P-channelRDS(on),max VGS=-10 V 80 mW Enhancement modeVGS=-4.5 V 130 Logic level (4.5V rated)ID -2.0 A ESD protectedPG-TSOP-6 Qualified according to AEC Q1016 5 4 100% Lead-free; RoHS compliant Halogen free according to IEC61249-2-211 2 3 Ty
bsl302sn.pdf

BSL302SNOptiMOS2 Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS N-channelR V =10 V 25mDS(on),max GS Enhancement modeV =4.5 V 38GS Logic level (4.5V rated)I 7.1 AD Avalanche rated dv /dt ratedPG-TSOP-6 Pb-free lead plating; RoHS compliant65 Qualified according to AEC Q1014123Type Package Tape and Reel Informa
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History: CSD16412Q5A | STP9NB50FP | AP03N70H | 5N65KG-TND-R | AP02N60H | AFP9407 | AOD496
History: CSD16412Q5A | STP9NB50FP | AP03N70H | 5N65KG-TND-R | AP02N60H | AFP9407 | AOD496



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