BSL806N Todos los transistores

 

BSL806N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSL806N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 118 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.057 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-457
 

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BSL806N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:419K  infineon
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BSL806N

BSL806NOptiMOS ':.99 '64;.9 (>.;?6?@%>EFeatures 20 VDSU I6A ) 8=6CC:A 1 57 m DS(on) max GSU C=6C8:B :CH B D9: 1 82GSU 0 AHF6 'D8 A:J:A 1 F6H:9 2. ADU J6A6C8=: F6H:9U , I6A>;>:9 688DF9>C6CH65412Type Package (.=2 .;1 &229 ;3:.@622 PackingBSL806N PGTSOP6 ' E8G F::A sPQ

 9.1. Size:413K  infineon
 bsl802sn.pdf pdf_icon

BSL806N

BSL802SN$=@6"$'F ':.99 '64;.9 (>.;?6?@%>EFeatures 20 VDSU ) 8=6CC:A 1 22m DS(on) max GSU C=6C8:B :CH B D9: 1 1GSU 0 AHF6 'D8 A:J:A 1 F6H:9 7.5 ADU J6A6C8=: F6H:9U , I6A>;>:9 688DF9>C6CH65412Type Package (.=2 .;1 &229 ;3:.@622 PackingBSL802SN PGTSOP6 ' E8G F::A sPP

Otros transistores... BSL302SN , BSL303SPE , BSL305SPE , BSL306N , BSL308C , BSL316C , BSL606SN , BSL802SN , IRLB4132 , BSN20-7 , BSN20BK , BSO200P03S , BSO201SP , BSO203P , BSO203SP , BSO207P , BSO211P .

History: BSC152N10NSFG | BSC265N10LSFG

 

 
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