Справочник MOSFET. BSL806N

 

BSL806N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSL806N
   Маркировка: sPQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.75 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 1.7 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 118 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.057 Ohm
   Тип корпуса: SOT-457
 

 Аналог (замена) для BSL806N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSL806N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:419K  infineon
 bsl806n.pdf pdf_icon

BSL806N

BSL806NOptiMOS ':.99 '64;.9 (>.;?6?@%>EFeatures 20 VDSU I6A ) 8=6CC:A 1 57 m DS(on) max GSU C=6C8:B :CH B D9: 1 82GSU 0 AHF6 'D8 A:J:A 1 F6H:9 2. ADU J6A6C8=: F6H:9U , I6A>;>:9 688DF9>C6CH65412Type Package (.=2 .;1 &229 ;3:.@622 PackingBSL806N PGTSOP6 ' E8G F::A sPQ

 9.1. Size:413K  infineon
 bsl802sn.pdf pdf_icon

BSL806N

BSL802SN$=@6"$'F ':.99 '64;.9 (>.;?6?@%>EFeatures 20 VDSU ) 8=6CC:A 1 22m DS(on) max GSU C=6C8:B :CH B D9: 1 1GSU 0 AHF6 'D8 A:J:A 1 F6H:9 7.5 ADU J6A6C8=: F6H:9U , I6A>;>:9 688DF9>C6CH65412Type Package (.=2 .;1 &229 ;3:.@622 PackingBSL802SN PGTSOP6 ' E8G F::A sPP

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.