BSL806N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BSL806N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 118 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.057 Ohm

Тип корпуса: SOT-457

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для BSL806N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSL806N даташит

 ..1. Size:419K  infineon
 bsl806n.pdf pdf_icon

BSL806N

BSL806N OptiMOS ' .99 '64;.9 (>.;?6?@ %>E Features 20 V DS U I6A ) 8=6CC A 1 57 m DS(on) max GS U C=6C8 B CH B D9 1 82 GS U 0 AHF6 'D8 A J A 1 F6H 9 2. A D U J6A6C8= F6H 9 U , I6A>;> 9 688DF9>C6CH 6 5 4 1 2 Type Package (.=2 .;1 &229 ;3 .@622 Packing BSL806N PG TSOP6 ' E8G F A sPQ

 9.1. Size:413K  infineon
 bsl802sn.pdf pdf_icon

BSL806N

BSL802SN $=@6"$'F ' .99 '64;.9 (>.;?6?@ %>E Features 20 V DS U ) 8=6CC A 1 22 m DS(on) max GS U C=6C8 B CH B D9 1 1 GS U 0 AHF6 'D8 A J A 1 F6H 9 7.5 A D U J6A6C8= F6H 9 U , I6A>;> 9 688DF9>C6CH 6 5 4 1 2 Type Package (.=2 .;1 &229 ;3 .@622 Packing BSL802SN PG TSOP6 ' E8G F A sPP

Другие IGBT... BSL302SN, BSL303SPE, BSL305SPE, BSL306N, BSL308C, BSL316C, BSL606SN, BSL802SN, 2SK3878, BSN20-7, BSN20BK, BSO200P03S, BSO201SP, BSO203P, BSO203SP, BSO207P, BSO211P