BSO211P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSO211P
Código: 211P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.6 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3.2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.2 V
Carga de la puerta (Qg): 8 nC
Tiempo de subida (tr): 13 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 240 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.067 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSO211P
BSO211P Datasheet (PDF)
bso211p.pdf
BSO211P HOptiMOS P-Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS -20 V dual P-Channel in SO8RDS(on),max VGS=4.5 V 67 mW Qualified according JEDEC for target applicationsVGS=2.5 V 110 150C operating temperatureID -A 4.6 Super Logic Level (2.5V rated) Pb-free plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21PG-DSO-8 Type Pa
bso211p h 13.pdf
BSO211P HOptiMOS P-Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV -20 VDS dual P-Channel in SO8R V =4.5 V 67mDS(on),max GS Qualified according JEDEC for target applicationsV =2.5 V 110GS 150C operating temperatureI 4.6 AD Super Logic Level (2.5V rated) Pb-free plating; RoHS compliantPG-DSO-8 Halogen-free according to IEC61249-2-21Type P
bso215c.pdf
Preliminary dataBSO 215 CSIPMOS Small-Signal-TransistorFeatures Product Summary N PDrain source voltage VDS 20 -20 V Dual N- and P -Channel Enhancement mode Drain-Source on-state RDS(on) 0.1 0.1resistance Logic LevelContinuous drain current ID 3.7 -3.7 A Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering CodeBSO 215 C SO 8 Q67041-S4025Maximum Ratings,at Tj = 25 C,
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
