BSO211P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BSO211P
Маркировка: 211P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.6 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 8 nC
Время нарастания (tr): 13 ns
Выходная емкость (Cd): 240 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.067 Ohm
Тип корпуса: SO-8
BSO211P Datasheet (PDF)
bso211p.pdf
BSO211P HOptiMOS P-Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS -20 V dual P-Channel in SO8RDS(on),max VGS=4.5 V 67 mW Qualified according JEDEC for target applicationsVGS=2.5 V 110 150C operating temperatureID -A 4.6 Super Logic Level (2.5V rated) Pb-free plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21PG-DSO-8 Type Pa
bso211p h 13.pdf
BSO211P HOptiMOS P-Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV -20 VDS dual P-Channel in SO8R V =4.5 V 67mDS(on),max GS Qualified according JEDEC for target applicationsV =2.5 V 110GS 150C operating temperatureI 4.6 AD Super Logic Level (2.5V rated) Pb-free plating; RoHS compliantPG-DSO-8 Halogen-free according to IEC61249-2-21Type P
bso215c.pdf
Preliminary dataBSO 215 CSIPMOS Small-Signal-TransistorFeatures Product Summary N PDrain source voltage VDS 20 -20 V Dual N- and P -Channel Enhancement mode Drain-Source on-state RDS(on) 0.1 0.1resistance Logic LevelContinuous drain current ID 3.7 -3.7 A Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering CodeBSO 215 C SO 8 Q67041-S4025Maximum Ratings,at Tj = 25 C,
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
