BSO220N03MD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSO220N03MD
   Código: 220N03MD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.4 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 5.8 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.1 V
   Carga de la puerta (Qg): 3.8 nC
   Tiempo de subida (tr): 2.8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 230 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSO220N03MD

BSO220N03MD Datasheet (PDF)

..1. Size:299K infineon
bso220n03md.pdf

BSO220N03MD GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Dual N-channelR V =10 V 22mDS(on),max GS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)V =4.5 V 27GS Low FOMSW for High Frequency SMPSI 7.7 AD 100% Avalanche tested Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM)

..2. Size:672K infineon
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0.1. Size:300K infineon
bso220n03mdg.pdf

4.1. Size:671K infineon
bso220n03ms.pdf

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7.1. Size:108K infineon
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Preliminary DataBSO 220NSIPMOS Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesDrain source voltage 20 VVDS Dual N ChannelDrain-Source on-state resistance 0.13RDS(on) Enhancement modeContinuous drain current 3.2 AID Avalanche rated Logic Level dv/dt ratedType Package Ordering CodeBSO220N SO 8 Q67000-S4010Maximum Ratings, at Tj = 25 C, un

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: