BSP125 Todos los transistores

 

BSP125 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSP125
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8.2 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 45 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223
     - Selección de transistores por parámetros

 

BSP125 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:175K  siemens
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BSP125

BSP 125SIPMOS Small-Signal Transistor N channel Enhancement mode VGS(th) = 1.5 ...2.5 VPin 1 Pin 2 Pin 3 Pin 4G D S DType VDS ID RDS(on) Package MarkingBSP 125 600 V 0.12 A 45 SOT-223 BSP 125Type Ordering Code Tape and Reel InformationBSP 125 Q62702-S654 E6327BSP 125 Q67000-S284 E6433Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS

 ..2. Size:337K  infineon
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BSP125

Rev. 2.1BSP125SIPMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS 600 V N-ChannelRDS(on) 45 Enhancement modeID 0.12 A Logic LevelPG-SOT223 dv/dt rated Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to AEC Q101 Marking PackagingType Package RoHS compliant Tape and Reel InformationBSP125 PG-SOT223 Yes L6433: 4000 pcs/reel BSP125 No

 9.1. Size:50K  philips
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BSP125

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSP128N-channel enhancement modevertical D-MOS transistorApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationN-channel enhancement mode verticalBSP128D-MOS transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Direct interface to C-MOS, TTL,SYMBOL PARAMETER MAX. UNITetc.VDS dra

 9.2. Size:75K  philips
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BSP125

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSP126N-channel enhancement modevertical D-MOS transistorApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationN-channel enhancement mode verticalBSP126D-MOS transistorDESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement modeDrain-source voltage VDS max. 250 Vvertical D

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History: LNH4N60 | VBJ1322 | 2SK1542

 

 
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