BSP125 - описание и поиск аналогов

 

BSP125. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSP125

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 8.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 45 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для BSP125

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSP125 даташит

 ..1. Size:175K  siemens
bsp125.pdfpdf_icon

BSP125

BSP 125 SIPMOS Small-Signal Transistor N channel Enhancement mode VGS(th) = 1.5 ...2.5 V Pin 1 Pin 2 Pin 3 Pin 4 G D S D Type VDS ID RDS(on) Package Marking BSP 125 600 V 0.12 A 45 SOT-223 BSP 125 Type Ordering Code Tape and Reel Information BSP 125 Q62702-S654 E6327 BSP 125 Q67000-S284 E6433 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Drain source voltage VDS

 ..2. Size:337K  infineon
bsp125.pdfpdf_icon

BSP125

Rev. 2.1 BSP125 SIPMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS 600 V N-Channel RDS(on) 45 Enhancement mode ID 0.12 A Logic Level PG-SOT223 dv/dt rated Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to AEC Q101 Marking Packaging Type Package RoHS compliant Tape and Reel Information BSP125 PG-SOT223 Yes L6433 4000 pcs/reel BSP125 No

 9.1. Size:50K  philips
bsp128.pdfpdf_icon

BSP125

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BSP128 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor April 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC13b Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode vertical BSP128 D-MOS transistor FEATURES QUICK REFERENCE DATA Direct interface to C-MOS, TTL, SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT etc. VDS dra

 9.2. Size:75K  philips
bsp126.pdfpdf_icon

BSP125

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BSP126 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor April 1995 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC13b Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode vertical BSP126 D-MOS transistor DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode Drain-source voltage VDS max. 250 V vertical D

Другие MOSFET... BSO211P , BSO220N03MD , BSO301SP , BSO303P , BSO303SP , BSO612CVG , BSO615CG , BSP123 , CS150N03A8 , BSP129 , BSP135 , BSP149 , BSP254A , BSP295 , BSP296 , BSP296N , BSP297 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.