Справочник MOSFET. BSP125

 

BSP125 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSP125
   Маркировка: BSP125
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 4.4 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 14.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8.2 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 45 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для BSP125

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSP125 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:175K  siemens
bsp125.pdfpdf_icon

BSP125

BSP 125SIPMOS Small-Signal Transistor N channel Enhancement mode VGS(th) = 1.5 ...2.5 VPin 1 Pin 2 Pin 3 Pin 4G D S DType VDS ID RDS(on) Package MarkingBSP 125 600 V 0.12 A 45 SOT-223 BSP 125Type Ordering Code Tape and Reel InformationBSP 125 Q62702-S654 E6327BSP 125 Q67000-S284 E6433Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS

 ..2. Size:337K  infineon
bsp125.pdfpdf_icon

BSP125

Rev. 2.1BSP125SIPMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS 600 V N-ChannelRDS(on) 45 Enhancement modeID 0.12 A Logic LevelPG-SOT223 dv/dt rated Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to AEC Q101 Marking PackagingType Package RoHS compliant Tape and Reel InformationBSP125 PG-SOT223 Yes L6433: 4000 pcs/reel BSP125 No

 9.1. Size:50K  philips
bsp128.pdfpdf_icon

BSP125

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSP128N-channel enhancement modevertical D-MOS transistorApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationN-channel enhancement mode verticalBSP128D-MOS transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Direct interface to C-MOS, TTL,SYMBOL PARAMETER MAX. UNITetc.VDS dra

 9.2. Size:75K  philips
bsp126.pdfpdf_icon

BSP125

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSP126N-channel enhancement modevertical D-MOS transistorApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationN-channel enhancement mode verticalBSP126D-MOS transistorDESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement modeDrain-source voltage VDS max. 250 Vvertical D

Другие MOSFET... BSO211P , BSO220N03MD , BSO301SP , BSO303P , BSO303SP , BSO612CVG , BSO615CG , BSP123 , IRLB4132 , BSP129 , BSP135 , BSP149 , BSP254A , BSP295 , BSP296 , BSP296N , BSP297 .

History: 12N10G-S08-R | 14N50G-TA3-T | 19N10G-TMS-T

 

 
Back to Top

 


 
.