BSS119N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSS119N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 3.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3.4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSS119N

BSS119N Datasheet (PDF)

..1. Size:619K infineon
bss119n.pdf

BSS119NOptiMOS Small-Signal-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V N-channelRDS(on),max VGS=10 V 6 W Enhancement modeVGS=4.5 V 10 Logic level (4.5V rated)ID 0.19 A Avalanche rated Qualified according to AEC Q101PG-SOT23 100% lead-free; RoHS compliant; Halogen free3 1 2 Type Package Tape and Reel Information Marking Halogen fre

8.1. Size:90K infineon
bss119.pdf

BSS 119SIPMOS Small-Signal Transistor N channel Enhancement mode VGS(th) = 1.6 ...2.6 VPin 1 Pin 2 Pin 3G S DType VDS ID RDS(on) Package MarkingBSS 119 100 V 0.17 A 6 SOT-23 sSHType Ordering Code Tape and Reel InformationBSS 119 Q67000-S007 E6327Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS 100 VVDrain-gate voltageDGRRGS =

8.2. Size:87K infineon
bss119l6327.pdf

Rev. 1.5BSS119SIPMOS Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeatureVDS 100 V N-ChannelRDS(on) 6 Enhancement modeID 0.17 A Logic LevelPG-SOT23 dv/dt rated3Drainpin 3Gate Qualified according to AEC Q101pin12Sourcepin 21VPS05161Type Package Pb-free Tape and Reel Information MarkingBSS119 L6433: 10000 pcs/reel sSHPG-SOT23 Yes

9.1. Size:76K philips
bss110 1.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSS110P-channel enhancement modevertical D-MOS transistor1995 Apr 07Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips SemiconductorsPhilips Semiconductors Product specificationP-channel enhancement modeBSS110vertical D-MOS transistorFEATURES Low threshold voltage Direct interface to C-MOS, TTL, etc. Hi

9.2. Size:76K philips
bss110.pdf