BSS119N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BSS119N
Маркировка: sSH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.19 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 0.6 nC
Время нарастания (tr): 3.3 ns
Выходная емкость (Cd): 3.4 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 6 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
BSS119N Datasheet (PDF)
bss119n.pdf
BSS119NOptiMOS Small-Signal-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V N-channelRDS(on),max VGS=10 V 6 W Enhancement modeVGS=4.5 V 10 Logic level (4.5V rated)ID 0.19 A Avalanche rated Qualified according to AEC Q101PG-SOT23 100% lead-free; RoHS compliant; Halogen free3 1 2 Type Package Tape and Reel Information Marking Halogen fre
bss119.pdf
BSS 119SIPMOS Small-Signal Transistor N channel Enhancement mode VGS(th) = 1.6 ...2.6 VPin 1 Pin 2 Pin 3G S DType VDS ID RDS(on) Package MarkingBSS 119 100 V 0.17 A 6 SOT-23 sSHType Ordering Code Tape and Reel InformationBSS 119 Q67000-S007 E6327Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS 100 VVDrain-gate voltageDGRRGS =
bss119l6327.pdf
Rev. 1.5BSS119SIPMOS Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeatureVDS 100 V N-ChannelRDS(on) 6 Enhancement modeID 0.17 A Logic LevelPG-SOT23 dv/dt rated3Drainpin 3Gate Qualified according to AEC Q101pin12Sourcepin 21VPS05161Type Package Pb-free Tape and Reel Information MarkingBSS119 L6433: 10000 pcs/reel sSHPG-SOT23 Yes
bss110 1.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSS110P-channel enhancement modevertical D-MOS transistor1995 Apr 07Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips SemiconductorsPhilips Semiconductors Product specificationP-channel enhancement modeBSS110vertical D-MOS transistorFEATURES Low threshold voltage Direct interface to C-MOS, TTL, etc. Hi
bss110.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSS110P-channel enhancement modevertical D-MOS transistor1995 Apr 07Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips SemiconductorsPhilips Semiconductors Product specificationP-channel enhancement modeBSS110vertical D-MOS transistorFEATURES Low threshold voltage Direct interface to C-MOS, TTL, etc. Hi
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
