SI4833DY Todos los transistores

 

SI4833DY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4833DY

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm

Encapsulados: SO8

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SI4833DY datasheet

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SI4833DY

Si4833DY Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.085 @ VGS = 10 V "3.5 30 30 0.180 @ VGS = 4.5 V "2.5 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VF (V) VKA (V) Diode Forward Voltage IF (A) 30 0.5 V @ 1.0 A 1.4 S K SO-8 K A 1 8 G K A 2 7 SD 3 6 GD 4 5 D A Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C

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SI4833DY

Specification Comparison Vishay Siliconix Si4833ADY vs. Si4833DY Description P-Channel, 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode Package SO-8 Pin Out Identical Part Number Replacements Si4833ADY-T1-E3 Replaces Si4833DY-T1-E3 Si4833ADY-T1-E3 Replaces Si4833DY-T1 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Si4833ADY Si4833DY Unit Drain-Source Voltage

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SI4833DY

Si4833ADY Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.072 at VGS = - 10 V - 4.6 LITTLE FOOT Plus Power MOSFET - 30 - 4.6 0.110 at VGS = - 4.5 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VF

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SI4833DY

Si4833BDY Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition LITTLE FOOT Plus Power MOSFET 0.068 at VGS = - 10 V - 4.6 - 30 4.6 100 % Rg Tested 0.110 at VGS = - 4.5 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SCHOTTKY

Otros transistores... SI4410DY , SI4435DY , SI4810DY , SI4812DY , SI4816DY , SI4818DY , SI4831DY , SI4832DY , AON6380 , SI6820DQ , SI6821DQ , SI6923DQ , SML1001H9 , SML1001R1AN , SML1001R1BN , SML1001R1HN , SML1001R3AN .

 

 

 

 

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