Справочник MOSFET. SI4833DY

 

SI4833DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4833DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для SI4833DY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4833DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:97K  vishay
si4833dy.pdfpdf_icon

SI4833DY

Si4833DYVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeMOSFET PRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.085 @ VGS = 10 V "3.530300.180 @ VGS = 4.5 V "2.5 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARYVF (V)VKA (V) Diode Forward Voltage IF (A)30 0.5 V @ 1.0 A 1.4S KSO-8KA 1 8GKA 2 7SD3 6GD4 5D ATop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C

 8.1. Size:45K  vishay
si4833ady.pdfpdf_icon

SI4833DY

Specification ComparisonVishay SiliconixSi4833ADY vs. Si4833DYDescription: P-Channel, 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodePackage: SO-8Pin Out: IdenticalPart Number ReplacementsSi4833ADY-T1-E3 Replaces Si4833DY-T1-E3Si4833ADY-T1-E3 Replaces Si4833DY-T1ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Si4833ADY Si4833DY UnitDrain-Source Voltage

 8.2. Size:238K  vishay
si4833ad.pdfpdf_icon

SI4833DY

Si4833ADYVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.072 at VGS = - 10 V - 4.6 LITTLE FOOT Plus Power MOSFET- 30 - 4.60.110 at VGS = - 4.5 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VF

 8.3. Size:268K  vishay
si4833bdy.pdfpdf_icon

SI4833DY

Si4833BDYVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) Definition LITTLE FOOT Plus Power MOSFET0.068 at VGS = - 10 V - 4.6- 30 4.6 100 % Rg Tested0.110 at VGS = - 4.5 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSCHOTTKY

Другие MOSFET... SI4410DY , SI4435DY , SI4810DY , SI4812DY , SI4816DY , SI4818DY , SI4831DY , SI4832DY , IRLZ44N , SI6820DQ , SI6821DQ , SI6923DQ , SML1001H9 , SML1001R1AN , SML1001R1BN , SML1001R1HN , SML1001R3AN .

History: MTE130N20J3 | SI4925BDY | WML13N80M3 | IRF543FI | SSW20N60S | SI4914DY

 

 
Back to Top

 


 
.