SI4833DY. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SI4833DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для SI4833DY
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI4833DY даташит
si4833dy.pdf
Si4833DY Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode MOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) 0.085 @ VGS = 10 V "3.5 30 30 0.180 @ VGS = 4.5 V "2.5 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VF (V) VKA (V) Diode Forward Voltage IF (A) 30 0.5 V @ 1.0 A 1.4 S K SO-8 K A 1 8 G K A 2 7 SD 3 6 GD 4 5 D A Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C
si4833ady.pdf
Specification Comparison Vishay Siliconix Si4833ADY vs. Si4833DY Description P-Channel, 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode Package SO-8 Pin Out Identical Part Number Replacements Si4833ADY-T1-E3 Replaces Si4833DY-T1-E3 Si4833ADY-T1-E3 Replaces Si4833DY-T1 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Si4833ADY Si4833DY Unit Drain-Source Voltage
si4833ad.pdf
Si4833ADY Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.072 at VGS = - 10 V - 4.6 LITTLE FOOT Plus Power MOSFET - 30 - 4.6 0.110 at VGS = - 4.5 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY VF
si4833bdy.pdf
Si4833BDY Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition LITTLE FOOT Plus Power MOSFET 0.068 at VGS = - 10 V - 4.6 - 30 4.6 100 % Rg Tested 0.110 at VGS = - 4.5 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SCHOTTKY
Другие MOSFET... SI4410DY , SI4435DY , SI4810DY , SI4812DY , SI4816DY , SI4818DY , SI4831DY , SI4832DY , AON6380 , SI6820DQ , SI6821DQ , SI6923DQ , SML1001H9 , SML1001R1AN , SML1001R1BN , SML1001R1HN , SML1001R3AN .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
mj15025g | ksa1381 replacement | m3056m mosfet | skd502t mosfet | tip 35 transistor | bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509




