BSS138D87Z Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSS138D87Z  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm

Encapsulados: SOT-23 SOT-346

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BSS138D87Z datasheet

 7.1. Size:109K  diodes
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BSS138D87Z

BSS138DW DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SOT-363 Low Gate Threshold Voltage Case Material Molded Plastic. Green Molding Compound (Note 6). UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensi

 7.2. Size:1263K  cn vbsemi
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BSS138D87Z

BSS138DW www.VBsemi.tw Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY FEATURES VDS (V) RDS(on) ( )ID (mA) Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition 2.5 at VGS = 10 V 60 300 Low On-Resistance 2.5 Low Threshold 2 V (typ.) Low Input Capacitance 25 pF Fast Switching Speed 25 ns SOT-363 Low Input and Output Leakage SC-70 TrenchFET

 7.3. Size:809K  cn yangzhou yangjie elec
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BSS138D87Z

RoHS COMPLIANT BSS138DW N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 50V DS I 340mA D R ( at V =10V) 2.5ohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 3.0ohm DS(ON) GS General Description Trench Power MV MOSFET technology Voltage controlled small signal switch Low input Capacitance Fast Switching Speed Low Input /

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