BSS214NW Todos los transistores

 

BSS214NW MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSS214NW

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm

Encapsulados: SOT-323

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BSS214NW datasheet

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BSS214NW

BSS214NW OptiMOS 2 Small-Signal-Transistor Product Summary Features V 20 V DS N-channel R V =4.5 V 140 m DS(on),max GS Enhancement mode V =2.5 V 250 GS Super Logic level (2.5V rated) I 1.5 A D Avalanche rated Qualified according to AEC Q101 PG-SOT323 100% lead-free; RoHS compliant 3 Halogen-free according to IEC61249-2-21 1 2 Type Package

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BSS214NW

BSS214N OptiMOS 2 Small-Signal-Transistor Product Summary Features V 20 V DS N-channel R V =4.5 V 140 m DS(on),max GS Enhancement mode V =2.5 V 250 GS Super Logic level (2.5V rated) I 1.5 A D Avalanche rated Qualified according to AEC Q101 PG-SOT23 100% lead-free; RoHS compliant 3 Halogen-free according to IEC61249-2-21 1 2 Type Package Ta

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BSS214NW

Product specification BSS214N OptiMOS 2 Small-Signal-Transistor Product Summary Features V 20 V DS N-channel R V =4.5 V 140 m DS(on),max GS Enhancement mode V =2.5 V 250 GS Super Logic level (2.5V rated) I 1.5 A D Avalanche rated Qualified according to AEC Q101 PG-SOT23 100% lead-free; RoHS compliant 3 Halogen-free according to IEC61249-2-21

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BSS214NW

BSS215P #

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