BSS225 Todos los transistores

 

BSS225 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSS225
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.09 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7.6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 45 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-89
 

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BSS225 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:295K  infineon
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BSS225

TypeBSS225SIPMOS Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeature 1)600 VVDS n-channelR 45DS(on),max enhancement modeI 0.09 AD Logic level dv /dt rated Qualified according to AEC Q101SOT89Type Package Pb-free Tape and Reel Information MarkingBSS225 SOT89 Yes L6327: 3000PCS/reel KDMaximum ratings, at T =25 C, unless otherwise specifie

 9.1. Size:110K  infineon
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BSS225

BSS 223PWOptiMOS-P Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeatureVDS -20 V P-ChannelRDS(on) 1.2 Enhancement modeID -0.39 A Super Logic Level (2.5 V rated)PG-SOT-323 150C operating temperature3 Avalanche rated dv/dt rated21VSO05561 Qualified according to AEC Q101 Halogen-free according to IEC61249-2-21Drainpin

 9.2. Size:318K  infineon
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BSS225

BSS 229SIPMOS Small-Signal Transistor VDS 250 V ID 0.07 A RDS(on) 100 N channel Depletion mode High dynamic resistance32 Available grouped in VGS(th)1Type Ordering Tape and Reel Pin Configuration Marking PackageCode Information1 2 3BSS 229 Q62702-S600 E6296: 1500 pcs/reel; G D S SS229 TO-922 reels/carton; source firstMaximum RatingsParameter Symbol Va

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History: SI7457DP | BUK655R0-75C

 

 
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