BSS225 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSS225
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.09 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7.6 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 45 Ohm
Encapsulados: SOT-89
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BSS225 datasheet
bss225.pdf
Type BSS225 SIPMOS Small-Signal-Transistor Product Summary Feature 1) 600 V V DS n-channel R 45 DS(on),max enhancement mode I 0.09 A D Logic level dv /dt rated Qualified according to AEC Q101 SOT89 Type Package Pb-free Tape and Reel Information Marking BSS225 SOT89 Yes L6327 3000PCS/reel KD Maximum ratings, at T =25 C, unless otherwise specifie
bss223pw.pdf
BSS 223PW OptiMOS -P Small-Signal-Transistor Product Summary Feature VDS -20 V P-Channel RDS(on) 1.2 Enhancement mode ID -0.39 A Super Logic Level (2.5 V rated) PG-SOT-323 150 C operating temperature 3 Avalanche rated dv/dt rated 2 1 VSO05561 Qualified according to AEC Q101 Halogen-free according to IEC61249-2-21 Drain pin
bss229.pdf
BSS 229 SIPMOS Small-Signal Transistor VDS 250 V ID 0.07 A RDS(on) 100 N channel Depletion mode High dynamic resistance 3 2 Available grouped in VGS(th) 1 Type Ordering Tape and Reel Pin Configuration Marking Package Code Information 1 2 3 BSS 229 Q62702-S600 E6296 1500 pcs/reel; G D S SS229 TO-92 2 reels/carton; source first Maximum Ratings Parameter Symbol Va
Otros transistores... BSS138LT3G , BSS138N , BSS138TA , BSS138TC , BSS139 , BSS159N , BSS169 , BSS214NW , IRF540N , BSS606N , BSS670S2L , BSS7728N , BSS7728NG , BSS806NE , BSS816NW , BSS84-7 , BSS84AKMB .
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