BSS670S2L Todos los transistores

 

BSS670S2L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSS670S2L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.54 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 13 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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BSS670S2L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  infineon
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BSS670S2L

BSS670S2LOptiMOS Buck converter seriesProduct SummaryFeatureVDS55 V N-Channel RDS(on) 650 m Enhancement modeID 0.54 A Logic LevelPG-SOT 23 Avalanche rated 1) Qualified according to AEC Q101 Halogen-free according to IEC61249-2-21Drainpin 3Gatepin1Type Package Tape and Reel MarkingSourceBSS670S2L PG

 9.1. Size:33K  diodes
 bss66 bss67.pdf pdf_icon

BSS670S2L

SOT SI I O A A DI SS66 O S IT HI T A SISTO S SS6 ISS S T T I D T I 8A SO T A I ATI S T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I I Di i i T T T i T T I A HA A T ISTI S a Ta T I IT DITI II i V I V V I II V I V V I i V I V V I II i I V V II i V V I I i V I V I I i i V I V 8 V I I V I I i I T i I I

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