Справочник MOSFET. BSS670S2L

 

BSS670S2L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSS670S2L
   Маркировка: BSs
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.54 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 1.7 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для BSS670S2L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSS670S2L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  infineon
 bss670s2l.pdf pdf_icon

BSS670S2L

BSS670S2LOptiMOS Buck converter seriesProduct SummaryFeatureVDS55 V N-Channel RDS(on) 650 m Enhancement modeID 0.54 A Logic LevelPG-SOT 23 Avalanche rated 1) Qualified according to AEC Q101 Halogen-free according to IEC61249-2-21Drainpin 3Gatepin1Type Package Tape and Reel MarkingSourceBSS670S2L PG

 9.1. Size:33K  diodes
 bss66 bss67.pdf pdf_icon

BSS670S2L

SOT SI I O A A DI SS66 O S IT HI T A SISTO S SS6 ISS S T T I D T I 8A SO T A I ATI S T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I I Di i i T T T i T T I A HA A T ISTI S a Ta T I IT DITI II i V I V V I II V I V V I i V I V V I II i I V V II i V V I I i V I V I I i i V I V 8 V I I V I I i I T i I I

Другие MOSFET... BSS138TA , BSS138TC , BSS139 , BSS159N , BSS169 , BSS214NW , BSS225 , BSS606N , 50N06 , BSS7728N , BSS7728NG , BSS806NE , BSS816NW , BSS84-7 , BSS84AKMB , BSS84TA , BSS84TC .

History: SI4128DY | IXFR102N30P

 

 
Back to Top

 


 
.