BSZ060NE2LS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSZ060NE2LS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Encapsulados: TSDSON-8FL
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BSZ060NE2LS datasheet
bsz060ne2ls.pdf
For BSZ060NE2LS OptiMOSTM Power-MOSFET Product Summary Features VDS 25 V Optimized for high performance Buck converter (Server,VGA) Very Low FOMQOSS for High Frequency SMPS RDS(on),max VGS=10 V 6 mW Low FOMSW for High Frequency SMPS VGS=4.5 V 8.1 Excellent gate charge x R product (FOM) ID 40 A DS(on) Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS PG-TSDSON-
bsz065n03ls.pdf
For BSZ065N03LS OptiMOSTM Power-MOSFET Product Summary Features VDS 30 V Optimized for high performance Buck converter (Server,VGA) RDS(on),max VGS=10 V 6.5 mW Very low FOMQOSS for High Frequency SMPS VGS=4.5 V 8.6 Low FOMSW for High Frequency SMPS ID 40 A Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R @ V =4.5 V PG-TSDSON-8 (fu
bsz067n06ls3 bsz067n06ls3g.pdf
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bsz068n06ns.pdf
Type BSZ068N06NS OptiMOSTM Power-Transistor Features Product Summary Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. VDS 60 V 100% avalanche tested RDS(on),max 6.8 mW Superior thermal resistance ID 40 A N-channel QOSS nC 19 Qualified according to JEDEC1) for target applications QG(0V..10V) nC 17 Pb-free lead plating; RoHS compliant PG-TSD
Otros transistores... BSZ036NE2LS , BSZ042N06NS , BSZ0501NSI , BSZ0506NS , BSZ050N03LS , BSZ050N03MS , BSZ058N03LS , BSZ058N03MS , 2N7002 , BSZ065N03LS , BSZ075N08NS5 , BSZ084N08NS5 , BSZ0901NS , BSZ0901NSI , BSZ0902NS , BSZ0902NSI , BSZ0904NSI .
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