BSZ084N08NS5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSZ084N08NS5
   Código: 084N08N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0084 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSDSON-8FL

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSZ084N08NS5

BSZ084N08NS5 Datasheet (PDF)

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MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS 5 Power-Transistor, 80 VBSZ084N08NS5Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOS 5 Power-Transistor, 80 VBSZ084N08NS5TSDSON-8 FL1 Description(enlarged source interconnection)Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. Optimized technology for DC/DC co

9.1. Size:620K infineon
bsz086p03ns3g 2.02.pdf

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9.2. Size:619K infineon
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9.3. Size:439K infineon
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BSZ086P03NS3 GOptiMOSTM P3 Power-TransistorProduct Summary VDS -30 V FeaturesRDS(on),max 8.6 single P-Channel in S3O8 mW Qualified according JEDEC1) for target applicationsID -40 A PG-TSDSON-8 150 C operating temperature V =25 V, specially suited for notebook applicationsGS Pb-free; RoHS compliant applications: battery management, load switchin

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Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: