BSZ097N10NS5 Todos los transistores

 

BSZ097N10NS5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSZ097N10NS5
   Código: 097N10N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 22 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0097 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSDSON-8FL
 

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BSZ097N10NS5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1391K  infineon
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BSZ097N10NS5

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM5 Power-Transistor, 100 VBSZ097N10NS5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM5 Power-Transistor, 100 VBSZ097N10NS5TSDSON-8 FL1 Description(enlarged source interconnection)Features Ideal for high frequency switching Optimized technology for DC/DC converters E

 7.1. Size:635K  infineon
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BSZ097N10NS5

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BSZ097N10NS5

BSZ099N06LS5MOSFETTSDSON-8 FLOptiMOSTM Power-Transistor,60V(enlarged source interconnection)Features Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Table

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BSZ097N10NS5

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSZ0909NS Data Sheet3.2, 2011-09-22Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSZ0909NS1 DescriptionOptiMOS30V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make OptiMOS

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History: 2SK3889-01S | SQJ912EP | FQU4N25TU | FQU5N40TU

 

 
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