Справочник MOSFET. BSZ097N10NS5

 

BSZ097N10NS5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSZ097N10NS5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0097 Ohm
   Тип корпуса: TSDSON-8FL
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BSZ097N10NS5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1391K  infineon
bsz097n10ns5.pdfpdf_icon

BSZ097N10NS5

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM5 Power-Transistor, 100 VBSZ097N10NS5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM5 Power-Transistor, 100 VBSZ097N10NS5TSDSON-8 FL1 Description(enlarged source interconnection)Features Ideal for high frequency switching Optimized technology for DC/DC converters E

 7.1. Size:635K  infineon
bsz097n04lsg.pdfpdf_icon

BSZ097N10NS5

%* ! % E #;B 1= &=-:>5>?;=#=;0@/? %@9 9 -=DFeatures 4 D Q 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*- 7m D n) m xQ ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BC 4 D1)Q + E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?C G D ON Q ( 492??6= &@8:4 =6F6=Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n)Q /6BI =@G @? B6C:CD2?46 D n)Q -EA6B:@B D96B>2= B6C:CD2?46Q F2=2?496 D6CD65Q

 9.1. Size:1458K  infineon
bsz099n06ls5.pdfpdf_icon

BSZ097N10NS5

BSZ099N06LS5MOSFETTSDSON-8 FLOptiMOSTM Power-Transistor,60V(enlarged source interconnection)Features Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Table

 9.2. Size:1453K  infineon
bsz0909ns rev3.2.pdfpdf_icon

BSZ097N10NS5

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSZ0909NS Data Sheet3.2, 2011-09-22Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSZ0909NS1 DescriptionOptiMOS30V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make OptiMOS

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: KRF7338 | BUK455-100B | NCEAP016N10LL | FDG6320C | SI7413DN | STB10NK60ZT4 | SSF65R420S2

 

 
Back to Top

 


 
.