BSZ15DC02KD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSZ15DC02KD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 114 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
Paquete / Cubierta: TSDSON-8FL
Búsqueda de reemplazo de BSZ15DC02KD MOSFET
BSZ15DC02KD Datasheet (PDF)
bsz15dc02kd.pdf

BSZ15DC02KD HOptiMOS2 + OptiMOS-P 2 Small Signal TransistorProduct Summary FeaturesP N Complementary P + N channel VDS -20 20 V Enhancement modeRDS(on),max VGS=4.5 V 150 55 Super Logic level (2.5V rated) mW VGS=2.5 V 310 95 Common drainID -3.2 5.1 A Avalanche rated 175 C operating temperature Qualified according to AEC Q101 100% l
bsz15dc02kdh.pdf

BSZ15DC02KD HOptiMOS 2 + OptiMOSP 2 Small Signal TransistorProduct SummaryFeaturesP N Complementary P + N channel VDS -20 20 V Enhancement modeRDS(on),max VGS=4.5 V 150 55 Super Logic level (2.5V rated) mVGS=2.5 V 310 95 Common drainID -3.2 5.1 A Avalanche rated 175 C operating temperature Qualified according to AEC Q101 100% lead-f
bsz150n10ls3g.pdf

BSZ150N10LS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V Ideal for high frequency switchingRDS(on),max 15 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 40 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) N-channel, Logic level 100% avalanche testedPG-TSDSON-8 Pb-free plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1)
Otros transistores... BSZ0902NS , BSZ0902NSI , BSZ0904NSI , BSZ0907ND , BSZ0908ND , BSZ097N10NS5 , BSZ110N08NS5 , BSZ150N10LS3G , IRF4905 , BTS140A , BTS244Z , BTS282Z , BTS282ZE , 10N12 , 10N45 , 12N18 , 12N20 .
History: APT5014SLLG | 2SK3914-01
History: APT5014SLLG | 2SK3914-01



Liste
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