BTS282Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BTS282Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 300 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 49 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
Carga de la puerta (Qg): 155 nC
Tiempo de subida (tr): 37 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1090 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0065 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263 TO-220-7
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BTS282Z
BTS282Z Datasheet (PDF)
bts282z.pdf
BTS 282 ZSpeed TEMPFET N-Channel Enhancement mode Logic Level Input 1VPT05167 Analog driving possible7 Fast switching up to 1 MHz Potential-free temperature sensor with thyristor characteristics Overtemperature protection Avalanche rated High current pinningType Package Marking Ordering CodeVDS RDS(on)BTS 282 Z 49 V P-TO220-7-3 - Q67
bts282z bts282ze.pdf
Speed TEMPFETBTS 282 Z 11 77PG-TO220-7-180PG-TO220-7-3 Green Product (RoHS compliant) PG-TO220-7-230
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