BTS282Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BTS282Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 49 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 155 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1090 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263 TO-220-7

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BTS282Z

BTS282Z Datasheet (PDF)

..1. Size:87K siemens
bts282z.pdf

BTS 282 ZSpeed TEMPFET N-Channel Enhancement mode Logic Level Input 1VPT05167 Analog driving possible7 Fast switching up to 1 MHz Potential-free temperature sensor with thyristor characteristics Overtemperature protection Avalanche rated High current pinningType Package Marking Ordering CodeVDS RDS(on)BTS 282 Z 49 V P-TO220-7-3 - Q67

..2. Size:376K infineon
bts282z bts282ze.pdf