10N45 Todos los transistores

 

10N45 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 10N45
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3
 

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10N45 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  inchange semiconductor
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10N45

isc N-Channel MOSFET Transistor 10N45DESCRIPTIONDrain Current I =10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 450V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for applications such as switching regulators,switching converters,motor drivers,relay drivers anddrivers for power

 0.1. Size:32K  harris semi
 rfh10n45 rfh10n50.pdf pdf_icon

10N45

RFH10N45, RFH10N50SemiconductorData Sheet October 1998 File Number 1629.210A, 450V and 500V, 0.600 Ohm, FeaturesN-Channel Power MOSFETs 10A, 450V and 500V[ /TitleThese are N-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 0.600(RFH10power field effect transistors designed for applications such Related Literatureas switching regulators, switching converters, m

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History: 2SK3366 | 2SK3608-01S | ZXM64P02X | UF3055 | PPMT20V4E | HM50P03D | PSMN4R1-60YL

 

 
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