10N45 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 10N45
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 450 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
Encapsulados: TO-3
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10N45 datasheet
10n45.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 10N45 DESCRIPTION Drain Current I =10A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 450V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for applications such as switching regulators, switching converters,motor drivers,relay drivers and drivers for power
rfh10n45 rfh10n50.pdf
RFH10N45, RFH10N50 Semiconductor Data Sheet October 1998 File Number 1629.2 10A, 450V and 500V, 0.600 Ohm, Features N-Channel Power MOSFETs 10A, 450V and 500V [ /Title These are N-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 0.600 (RFH10 power field effect transistors designed for applications such Related Literature as switching regulators, switching converters, m
Otros transistores... BSZ110N08NS5 , BSZ150N10LS3G , BSZ15DC02KD , BTS140A , BTS244Z , BTS282Z , BTS282ZE , 10N12 , NCEP15T14 , 12N18 , 12N20 , 12N45 , 12N45A , 15N05 , 15N12 , 15N45 , 17N60 .
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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