Справочник MOSFET. 10N45

 

10N45 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 10N45
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-3
 

 Аналог (замена) для 10N45

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

10N45 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  inchange semiconductor
 10n45.pdf pdf_icon

10N45

isc N-Channel MOSFET Transistor 10N45DESCRIPTIONDrain Current I =10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 450V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for applications such as switching regulators,switching converters,motor drivers,relay drivers anddrivers for power

 0.1. Size:32K  harris semi
 rfh10n45 rfh10n50.pdf pdf_icon

10N45

RFH10N45, RFH10N50SemiconductorData Sheet October 1998 File Number 1629.210A, 450V and 500V, 0.600 Ohm, FeaturesN-Channel Power MOSFETs 10A, 450V and 500V[ /TitleThese are N-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 0.600(RFH10power field effect transistors designed for applications such Related Literatureas switching regulators, switching converters, m

Другие MOSFET... BSZ110N08NS5 , BSZ150N10LS3G , BSZ15DC02KD , BTS140A , BTS244Z , BTS282Z , BTS282ZE , 10N12 , IRFP450 , 12N18 , 12N20 , 12N45 , 12N45A , 15N05 , 15N12 , 15N45 , 17N60 .

History: CJL8205A | 2SK2495

 

 
Back to Top

 


 
.