10N45 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 10N45
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
Тип корпуса: TO-3
10N45 Datasheet (PDF)
10n45.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 10N45DESCRIPTIONDrain Current I =10A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 450V(Min)DSSFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for applications such as switching regulators,switching converters,motor drivers,relay drivers anddrivers for power
rfh10n45 rfh10n50.pdf
RFH10N45, RFH10N50SemiconductorData Sheet October 1998 File Number 1629.210A, 450V and 500V, 0.600 Ohm, FeaturesN-Channel Power MOSFETs 10A, 450V and 500V[ /TitleThese are N-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 0.600(RFH10power field effect transistors designed for applications such Related Literatureas switching regulators, switching converters, m
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918