10N45 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 10N45  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO-3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 10N45

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

10N45 даташит

 ..1. Size:209K  inchange semiconductor
 10n45.pdf pdf_icon

10N45

isc N-Channel MOSFET Transistor 10N45 DESCRIPTION Drain Current I =10A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 450V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for applications such as switching regulators, switching converters,motor drivers,relay drivers and drivers for power

 0.1. Size:32K  harris semi
 rfh10n45 rfh10n50.pdf pdf_icon

10N45

RFH10N45, RFH10N50 Semiconductor Data Sheet October 1998 File Number 1629.2 10A, 450V and 500V, 0.600 Ohm, Features N-Channel Power MOSFETs 10A, 450V and 500V [ /Title These are N-Channel enhancement mode silicon gate rDS(ON) = 0.600 (RFH10 power field effect transistors designed for applications such Related Literature as switching regulators, switching converters, m

Другие IGBT... BSZ110N08NS5, BSZ150N10LS3G, BSZ15DC02KD, BTS140A, BTS244Z, BTS282Z, BTS282ZE, 10N12, NCEP15T14, 12N18, 12N20, 12N45, 12N45A, 15N05, 15N12, 15N45, 17N60