2SK1081 Todos los transistores

 

2SK1081 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK1081
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3PN
 

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2SK1081 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  inchange semiconductor
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2SK1081

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1081DESCRIPTIONDrain Current I =7A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =800V(Min)DSSMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, high speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage (V =0) 8

 0.1. Size:165K  fuji
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2SK1081

 8.1. Size:183K  fuji
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2SK1081

N-channel MOS-FET2SK1089F-III Series 60V 0,035 35A 80W> Features > Outline Drawing- High Current- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Forward Transconductance> Applications- Motor Control- General Purpose Power Amplifier- DC-DC converters> Maximum Ratings and Characteristics > Equivalent Circuit- Absolute Maximum Ratings (TC=25C),

 8.2. Size:175K  fuji
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2SK1081

N-channel MOS-FET2SK1085-MF-III Series 150V 0,9 3A 20W> Features > Outline Drawing- High Current- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Forward Transconductance> Applications- Motor Control- General Purpose Power Amplifier- DC-DC converters> Maximum Ratings and Characteristics > Equivalent Circuit- Absolute Maximum Ratings (TC=25C),

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History: PJ2301-AU | STB190NF04 | PSMN9R1-30YL | NCEP40T11 | PTD3004 | BF1204 | TDM3510

 

 
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