2SK1554 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2SK1554
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK1554

2SK1554 Datasheet (PDF)

..1. Size:210K inchange semiconductor
2sk1554.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1554DESCRIPTIONDrain Current I =3A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650 (Min)DSSMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, high speed power switchingapplications such as switching regulators, converters,solenoid and relay drivers.ABSOLUTE MAXI

8.1. Size:70K fuji
2sk1553-01mr.pdf

8.2. Size:211K inchange semiconductor
2sk1550.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1550DESCRIPTIONDrain Current I =4A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =600 (Min)DSSMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, high speed power switchingapplications such as switching regulators, converters,solenoid and relay drivers.ABSOLUTE MAXI

8.3. Size:211K inchange semiconductor
2sk1553.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1553DESCRIPTIONDrain Current I =5A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =650 (Min)DSSMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, high speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage (V =0) 6

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Liste

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