2SK1876 Todos los transistores

 

2SK1876 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK1876
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2SK1876 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:199K  fuji
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2SK1876

 ..2. Size:220K  inchange semiconductor
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2SK1876

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1876DESCRIPTIONDrain Current I = 10A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 450V(Min)DSSFast Switching SpeedLow on-resistanceFor switchinggregulator,DC-DC ConverterMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh speed power switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

 8.1. Size:287K  toshiba
 2sk1875.pdf pdf_icon

2SK1876

2SK1875 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type 2SK1875 High Frequency Amplifier Applications Unit: mm AM High Frequency Amplifier Applications Audio Frequency Amplifier Applications High |Yfs|: |Yfs| = 25 mS (typ.) Low C : C = 7.5 pF (typ.) iss issMaximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitGate-drain voltage

 8.2. Size:622K  hitachi
 2sk187.pdf pdf_icon

2SK1876

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History: KNP2803A

 

 
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