2SK2002-01M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK2002-01M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm
Encapsulados: TO-220F
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2SK2002-01M datasheet
2sk2002-01m.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2002-01M DESCRIPTION Drain Current I = 3A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =600V(Min) DSS Fast Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching regulators UPS General purpose power amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE
2sk2002-01mr.pdf
N-channel MOS-FET 2SK2002-01MR FAP-IIA Series 600V 4,5 3A 30W > Features > Outline Drawing - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS = 30V Guarantee - Avalanche Proof > Applications - Switching Regulators - UPS - DC-DC converters - General Purpose Power Amplifier > Maximum Ratings and Characteristics > Equ
2sk2000-r.pdf
Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com
2sk2009.pdf
2SK2009 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type 2SK2009 High Speed Switching Applications Unit mm Analog Switch Applications High input impedance. Low gate threshold voltage V = 0.5 1.5 V th Excellent switching times t = 0.06 s (typ.) on t = 0.12 s (typ.) off Low drain-source ON resistance R = 1.2 (typ.) DS (ON) Small
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